半导体存储器件及其操作方法
专利权的终止
摘要
根据本发明实施例的半导体存储器件，包括：多个字线，对应于多个字线的多个存储单元，和基于计时周期顺序驱动多个字线以刷新多个存储单元中的每一个的刷新电路，其根据活动模式期间一旦从活动模式转换到待命模式的扰动量来设置计时周期。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828771A
申请号 ：
CN200610059719.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-03-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥弘行广田卓哉
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200610059719.8
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G11C11/4076 G11C7/22
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2015-04-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101607913169
IPC(主分类) : G11C 11/406
专利号 : ZL2006100597198
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20140303
号牌文件序号 : 101607913169
IPC(主分类) : G11C 11/406
专利号 : ZL2006100597198
申请日 : 20060303
授权公告日 : 20100616
终止日期 : 20140303
2010-12-15 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101051452744
IPC(主分类) : G11C 11/406
专利号 : ZL2006100597198
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20101105
号牌文件序号 : 101051452744
IPC(主分类) : G11C 11/406
专利号 : ZL2006100597198
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20101105
2010-06-16 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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