半导体存储器件及其操作方法
实质审查的生效
摘要
本公开涉及半导体存储器件及其操作方法。根据本公开的实施方式，一种半导体存储器件包括模式寄存器电路，该模式寄存器电路包括用于提供多个设置码或多个监测码的多个写入模式寄存器组；以及缺陷检测电路，其适于基于多个监测码而通过检测模式寄存器电路中的任何缺陷来输出缺陷确定信号，其中，每个写入模式寄存器组包括：存储电路，其适于根据模式寄存器写入命令存储操作码；以及输出控制电路，其适于根据测试模式信号输出存储电路中存储的操作码作为相应的设置码，或者将存储电路中存储的操作码反相以输出相应的监测码。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器件及其操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530171A
申请号 ：
CN202110429070.9
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-04-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭鲁侠
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202110429070.9
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20210421
申请日 : 20210421
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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