半导体存储器件以及其数据读出方法

专利权的终止

摘要

本发明的半导体存储器件，其特征在于，具备：存储单元阵列，至少沿着列方向配置多个保持由第1数据以及第2数据构成的数据的存储单元；多个字线，沿着所述存储单元阵列的行方向配置，且连接在所述存储单元上；第1位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上，在读出所述数据时，从所述存储单元读出所述第1数据；第2位线，沿着所述存储单元阵列的列方向配置，连接在所述存储单元上，在读出所述数据时，从所述存储单元读出所述第2数据；位线预充电部，当从所述存储单元读出所述数据，并且检测到所述第1以及第2位线中，一方的位线的电位，从第1电位变化为低于该第1电位的第2电位时，使另一方的位线的电位从所述第2电位变化为所述第1电位；以及，位线选择部，在读出所述数据时，在所述第1以及第2位线中，选择的所述一方的位线

基本信息

专利标题：

半导体存储器件以及其数据读出方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1832026A

申请号：

CN200610058947.3

公开（公告）日：

2006-09-13

申请日：

2006-03-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

河野良洋

申请人：

株式会社东芝

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN200610058947.3

主分类号：

G11C7/10

IPC分类号：

G11C7/10