磁性存储器的读出电路及磁性存储器

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摘要

一种磁性存储器的读出电路及磁性存储器，读出电路包括：第一充电电容，其一端接地，其另一端耦接数据单元的输出端；第一预充电模块，用以对所述第一充电电容进行充电；第一放电控制模块，用以根据第一充电电容的放电速度控制数据电压的大小；第二充电电容；第二预充电模块，其耦接所述第二充电电容的另一端，用以对第二充电电容进行充电；第二放电控制模块，其控制端耦接第二充电电容的另一端，其输入端接入电源电压，其输出端输出参考电压，用以根据第二充电电容的放电速度控制参考电压的大小；灵敏放大器，其输入端分别接入数据电压和参考电压，其输出端输出读出信号。本发明技术方案能够提升磁性存储器的读出准确性和可靠性。

基本信息

专利标题：

磁性存储器的读出电路及磁性存储器

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111755044A

申请号：

CN201910232563.6

公开（公告）日：

2020-10-09

申请日：

2019-03-26

授权号：

CN111755044B

授权日：

2022-04-15

发明人：

郑斯文倪昊汪腾野王韬

申请人：

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

张振军

优先权：

CN201910232563.6

主分类号：

G11C11/16

IPC分类号：

G11C11/16