读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件
公开
摘要
提供了读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件。所述读出放大器，包括：包括在第一方向上彼此间隔开的第一晶体管和第二晶体管的位线读出放大器；被配置为将第一晶体管电连接到第二晶体管并且在第一方向上延伸第二导线；以及被配置为至少部分地与第二导线交叠并且设置在第一晶体管与第二晶体管之间的局部读出放大器。局部读出放大器包括：有源区；至少部分地在第一方向上延伸并且设置在有源区上的多个栅极图案；设置在多个栅极图案之间并且包括在第一方向上延伸的长边和在与第一方向相交的第二方向上延伸的短边的第一接触；以及在俯视图中与第一接触交叠的同时电连接到第一接触并且包括在第一方向上延伸的第一导电区的第一导线。
基本信息
专利标题 ：
读出放大器和包括该读出放大器的半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446336A
申请号 ：
CN202111122286.7
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李硕宰元福渊金暻旻金东建柳明植白寅硕
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市立方律师事务所
代理人 ：
李娜
优先权 ：
CN202111122286.7
主分类号 ：
G11C7/06
IPC分类号 ：
G11C7/06 G11C7/18 H01L27/105
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/06
读出放大器；相关电路
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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