页缓冲器及包括其的半导体存储器装置
实质审查的生效
摘要
本技术涉及页缓冲器及包括其的半导体存储器装置。一种页缓冲器包括：位线选择器，其被配置为将存储器单元阵列的位线连接至感测节点；预充电器，其被配置为将感测节点的电位预充电至第一电平；以及锁存器组件，其被配置为通过检测感测节点的电位从第一电平减小至第二电平的时间来感测数据。
基本信息
专利标题 ：
页缓冲器及包括其的半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388011A
申请号 ：
CN202110521275.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-05-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张晶植崔勋李东训崔允植
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110521275.X
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10 G11C16/14 G11C16/24 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20210513
申请日 : 20210513
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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