半导体存储器装置

专利权的终止

摘要

根据本发明的半导体存储器装置能够方便地改变调整ODT操作的时序和具有优化的ODT时序，不管半导体存储器装置是安置于模块的任一级上。本发明包括：阻抗调整单元，用于根据阻抗选择信号来调整输入垫的阻抗值；ODT操作控制单元，用于使用译码信号和ODT时序信号在产生阻抗选择信号时控制阻抗调整单元；延迟调整单元，用于将内部控制时钟延迟预定时序，由此产生ODT时序信号；以及ODT时序控制单元，用于根据半导体存储器装置是排列至模块的第一级还是第二级来控制延迟调整单元以决定预定时序的值。

基本信息

专利标题：

半导体存储器装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1892892A

申请号：

CN200610002103.7

公开（公告）日：

2007-01-10

申请日：

2006-01-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金溶美

申请人：

海力士半导体有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

杨红梅

优先权：

CN200610002103.7

主分类号：

G11C7/10

IPC分类号：

G11C7/10