半导体存储器装置
实质审查的生效
摘要
本公开涉及一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列设置在第一半导体层中，并且包括在与第一方向相交的第二方向上排列的多个单元部和至少两个通孔区域，其中，每一个通孔区域在第二方向上的宽度具有与所述多个单元部中的每一个在第二方向上的宽度的倍数相对应的尺寸。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550763A
申请号 ：
CN202110670813.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金镇浩朴泰成成象铉吴星来
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110670813.1
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 7/10
申请日 : 20210617
申请日 : 20210617
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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