半导体存储器装置
实质审查的生效
摘要
一种半导体存储器装置包括：隧道绝缘层，其设置在导电图案和沟道层之间；数据储存层，其设置在导电图案和隧道绝缘层之间，该数据储存层包括氮化硅层；第一阻挡绝缘层，其设置在导电图案和数据储存层之间；第二阻挡绝缘层，其设置在导电图案和第一阻挡绝缘层之间；以及含碳层，其设置在位于隧道绝缘层和数据储存层之间的位置、位于第一阻挡绝缘层和数据储存层之间的位置、位于隧道绝缘层中的位置、以及位于第一阻挡绝缘层和第二阻挡绝缘层之间的位置当中的至少一个位置处。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284284A
申请号 ：
CN202110515612.4
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宾真户权日荣权兑烘金锡周卢秀珍卢英辰朴宰吾吴镇镐刘东哲尹在珍李修炫全唯一
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘久亮
优先权 ：
CN202110515612.4
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11582
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/1157
申请日 : 20210512
申请日 : 20210512
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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