半导体存储器装置以及包括其的电子系统
公开
摘要
提供了半导体存储器装置和包括其的电子系统。所述半导体存储器装置包括：第一基底，包括背对的第一表面和第二表面；模制结构，包括堆叠在第一基底的第一表面上的多个栅电极；沟道结构，穿过模制结构；第一接触过孔，穿透第一基底；第二基底，包括背对的第三表面和第四表面；电路元件，在第二基底的第三表面上；第一贯穿过孔，穿过模制结构，连接第一接触过孔和电路元件，第一贯穿过孔包括第一导电图案以及将第一导电图案与模制结构分开的第一间隔膜；以及第二贯穿过孔，穿过模制结构且与第一贯穿过孔分隔开，第二贯穿过孔包括第二导电图案以及将第二导电图案与第一基底和模制结构分开的第二间隔膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置以及包括其的电子系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388524A
申请号 ：
CN202111215356.3
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安在昊金智源黃盛珉任峻成成锡江
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
尹淑梅
优先权 ：
CN202111215356.3
主分类号 ：
H01L27/1157
IPC分类号 ：
H01L27/1157 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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