半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统
公开
摘要
公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统。所述半导体存储器装置包括：测试模式数据存储装置，被配置为在测试操作期间，响应于寄存器写入命令和寄存器地址而存储测试写入模式数据，并且响应于测试读取命令和测试模式数据选择信号而输出测试读取模式数据；存储器单元阵列，包括多个存储器单元并且被配置为生成读取数据；读取路径单元，被配置为通过将读取数据串行化而生成n个读取数据；以及测试读取数据生成单元，被配置为在测试操作期间，通过将测试读取模式数据与以第一数据速率生成的所述n个读取数据中的每个进行比较来生成n个测试读取数据，并且以低于第一数据速率的第二数据速率生成所述n个测试读取数据。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的测试系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627947A
申请号 ：
CN202111087817.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈泓俊李龙宰金承翰金亨柱
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
张川绪
优先权 ：
CN202111087817.3
主分类号 ：
G11C29/12
IPC分类号 ：
G11C29/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
G11C29/04
损坏存储元件的检测或定位
G11C29/08
功能测试，例如，在刷新、通电自检或分布型测试期间的测试
G11C29/12
用于测试的内置装置，例如，内置的自检装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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