非易失性存储器装置和包括其的存储器系统
公开
摘要
一种非易失性存储器装置包括第一结构和键合到第一结构的第二结构。第二结构包括：低电阻导电层；公共源极线层，其位于低电阻导电层上；堆叠结构，其位于公共源极线层上方；多个沟道结构，其穿过堆叠结构的单元区域，并且接触公共源极线层；虚设沟道结构，其穿过堆叠结构的台阶区域，并且接触公共源极线层；第二绝缘结构，其位于堆叠结构上；多个第二键合焊盘，其位于第二绝缘结构上；以及第二互连结构，其位于第二绝缘结构中。
基本信息
专利标题 ：
非易失性存储器装置和包括其的存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582879A
申请号 ：
CN202111305802.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
崔茂林成政泰尹尚希全祐用崔峻荣黄允照
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111305802.X
主分类号 ：
H01L27/11529
IPC分类号 ：
H01L27/11529 H01L27/11548 H01L27/11556 H01L27/11573 H01L27/11575 H01L27/11582 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11526
以外围电路区为特征的
H01L27/11529
包含单元选择晶体管的存储区的，例如，NAND
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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