非易失性有机存储器件的制法及其制备的存储器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种制备含有插入上电极层和下电极层之间的存储层的非易失性有机存储器件的方法，其包括将导电性纳米粒子的离子分散于位于两电极之间的有机材料中，并随后在所述有机材料中，将所述导电性纳米粒子的离子还原为导电性纳米粒子，以形成存储层。此外，提供了由本发明的方法制备的非易失性有机存储器件。所述方法容许使用快速、简单、和环境友好的工艺制备所述存储器件，且不需要包裹工艺。并且所述存储器件具有低操作电压，因此，适用于在必须具备低能耗的各种便携式电子器件中应用。
基本信息
专利标题 ：
非易失性有机存储器件的制法及其制备的存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832218A
申请号 ：
CN200510121629.2
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜润锡李相均周原提李光熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
宋莉
优先权 ：
CN200510121629.2
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00 H01L51/00
法律状态
2010-02-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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