非易失性半导体存储器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种非易失性半导体存储器件，包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的多个隔离区域；形成在相邻隔离区域之间的元件形成区域；提供在元件形成区域上的第一栅极绝缘膜；提供在第一栅极绝缘膜上的浮栅电极，在沿着垂直于隔离区域延伸方向的方向上的剖面中，浮栅电极面对元件形成区域的下边缘的宽度小于元件形成区域的宽度；提供在浮栅电极上的第二栅极绝缘膜；和提供在第二栅极绝缘膜上的控制栅极电极。
基本信息
专利标题 ：
非易失性半导体存储器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838415A
申请号 ：
CN200610068044.3
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
渡边浩志木下敦宽高岛章萩岛大辅
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200610068044.3
主分类号 ：
H01L27/115
IPC分类号 ：
H01L27/115 H01L29/788 H01L21/8247 H01L21/336 H01L21/28
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
法律状态
2014-05-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101582162337
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2006100680443
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20130324
号牌文件序号 : 101582162337
IPC(主分类) : H01L 27/115
专利号 : ZL2006100680443
申请日 : 20060324
授权公告日 : 20090211
终止日期 : 20130324
2009-02-11 ：
授权
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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