一种非易失存储器的制造方法，首先提供衬底，于衬底上依序形成复合介电层、牺牲层与掩膜层。之后，图案化掩膜层，以形成暴露出牺牲层之多数个第一开口。接下来，移除第一开口所暴露出之部分牺牲层，再于第一开口中形成多数个第一栅极。之后，移除掩膜掩膜层，以于第一栅极之间形成多数个第二开口。然后，在第一栅极的顶部及侧壁形成一绝缘层。接着，再移除这些第二开口所暴露出之部分牺牲层，并于这些第二开口中形成多数个第二栅极。多数个第二栅极与多数个第一栅极构成存储胞串行。继而，于存储胞串行两侧之衬底中各自形成源极/漏极区。