存储器件及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种分裂栅(闪速)EEPROM单元及其制造方法，其中，控制栅和浮动栅形成为纵向结构，用于最小化单元的尺寸，获得高耦合率，并降低编程电压。分裂栅EEPROM单元包括：半导体衬底，具有沟槽；隧道氧化物层，位于沟槽的侧壁处；浮动栅、介电层、和控制栅，依次位于隧道氧化物层上；缓冲介电层，位于浮动栅和控制栅的侧壁处；源结，位于沟槽的底面处的半导体衬底中；源电极，位于在相对的缓冲介电层之间的沟槽中，电连接到源结；以及漏结，位于沟槽外部的半导体衬底的表面上。

基本信息

专利标题：

存储器件及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812130A

申请号：

CN200510130178.9

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-12-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

金兴振

申请人：

东部亚南半导体株式会社

申请人地址：

韩国首尔

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

余刚

优先权：

CN200510130178.9

主分类号：

H01L29/788

IPC分类号：

H01L29/788 H01L27/115 H01L21/336 H01L21/8247

法律状态

2015-02-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101598341557
IPC(主分类) : H01L 29/788
专利号 : ZL2005101301789
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20131219

2009-07-22 ：

授权

2006-09-27 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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