存储器件制造中的方法

专利权的终止

摘要

在基于驻极体或铁电材料的电可极化存储材料的存储器件的制造方法中，存储器件包括具有在印刷工艺中专门地或部分地提供的电路结构的一层或多层。至少一个保护夹层提供于存储器件中的至少两层之间，所述保护夹层对于该器件的其它层的沉积中采用的任何溶剂显示出低溶度以及低渗透性。在制造存储器件、尤其是无源矩阵可寻址存储器件中使用驻极体或铁电存储材料。

基本信息

专利标题：

存储器件制造中的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101133460A

申请号：

CN200580048829.8

公开（公告）日：

2008-02-27

申请日：

2005-12-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

P·迪雷克勒夫A·哈格斯特龙H·G·古德森P·－E·诺达尔O·哈格尔

申请人：

薄膜电子有限公司

申请人地址：

挪威奥斯陆

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅

优先权：

CN200580048829.8

主分类号：

G11C11/22

IPC分类号：

G11C11/22

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/22

应用铁电元件的

法律状态

2012-03-14 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101196526739
IPC(主分类) : G11C 11/22
专利号 : ZL2005800488298
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20100127
终止日期 : 20101223

2010-01-27 ：

授权

2008-04-23 ：

实质审查的生效

2008-02-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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