铁电体存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。
基本信息
专利标题 ：
铁电体存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1763957A
申请号 ：
CN200510112895.9
公开（公告）日 ：
2006-04-26
申请日 ：
2005-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松本昭人神谷俊幸山田健二名取荣治木下智雄
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510112895.9
主分类号 ：
H01L27/10
IPC分类号 ：
H01L27/10 H01L29/92 H01L21/82 H01L21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
法律状态
2019-10-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 27/10
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20181019
申请日 : 20051019
授权公告日 : 20090218
终止日期 : 20181019
2016-05-04 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101731938616
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005101128959
登记生效日 : 20160415
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川县
号牌文件序号 : 101731938616
IPC(主分类) : H01L 27/10
专利号 : ZL2005101128959
登记生效日 : 20160415
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 精工爱普生株式会社
变更后权利人 : 富士通半导体股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川县
2009-02-18 ：
授权
2006-06-14 ：
实质审查的生效
2006-04-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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