铁电体存储装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

提供一种铁电体存储装置及其制造方法，其电气特性优良、性能更高。为此，在半导体基板(11)上形成下侧绝缘膜(第一绝缘膜30)；形成依次层叠下部电极(42)、铁电体层(44)和上部电极(46)而成的铁电体电容结构体(40)；形成覆盖铁电体电容结构体的上侧绝缘膜(第五绝缘膜50)；形成在上侧绝缘膜上延伸的布线层(70)；形成覆盖布线层和上侧绝缘膜、具有5～50nm的膜厚的氧化铝膜(90)。

基本信息

专利标题：

铁电体存储装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1848409A

申请号：

CN200610002458.6

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

阿部一英

申请人：

冲电气工业株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

优先权：

CN200610002458.6

主分类号：

H01L21/8239

IPC分类号：

H01L21/8239 H01L21/316 H01L27/105 G11C11/22

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/822

衬底是采用硅工艺的半导体的

H01L21/8232

场效应工艺

H01L21/8234

MIS工艺

H01L21/8239

存储器结构

法律状态

2018-02-09 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/8239
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20091216
终止日期 : 20170126

2014-01-01 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453769
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100024586
变更事项 : 专利权人
变更前 : 拉碧斯半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本横滨
变更事项 : 地址

2014-01-01 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453768
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100024586
变更事项 : 专利权人
变更前 : OKI半导体株式会社
变更后 : 拉碧斯半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京

2014-01-01 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101683453767
IPC(主分类) : H01L 21/8239
专利号 : ZL2006100024586
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 冲电气工业株式会社
变更后权利人 : OKI半导体株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20131210

2009-12-16 ：

授权

2008-05-28 ：

实质审查的生效

2006-10-18 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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