晶体管型铁电体存储器及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。
基本信息
专利标题 ：
晶体管型铁电体存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812128A
申请号 ：
CN200510129542.X
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
木岛健滨田泰彰樋口天光
申请人 ：
精工爱普生株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李香兰
优先权 ：
CN200510129542.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
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法律状态
2014-02-05 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101567531955
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL200510129542X
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20121206
号牌文件序号 : 101567531955
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL200510129542X
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20121206
2009-06-17 ：
授权
2006-09-27 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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