具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法。通过将多条位线围绕半导体柱的下部的外壁形成，将多条字线在多条位线的上方隔着中间绝缘层而围绕半导体柱的外壁形成，使得垂直沟槽晶体管的主体能够直接接触半导体衬底，从而避免垂直沟槽晶体管的主体浮动，且可以缩小器件尺寸，提高器件可靠性。此外，仅通过沉积和蚀刻工艺来形成栅堆叠结构，无需光刻工艺，不借助光掩模而形成字线，结构和工艺较为简单，从而沿用现有设备和材料即可将存储器扩展到10nm以下。
基本信息
专利标题 ：
具有垂直沟道晶体管的存储器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446965A
申请号 ：
CN202210113278.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金镇湖
申请人 ：
东芯半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市青浦区徐泾镇诸光路1588弄虹桥世界中心L4A-F5
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
熊风
优先权 ：
CN202210113278.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20220130
申请日 : 20220130
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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