晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法
专利权的终止
摘要
提供了一种半导体储存器件的晶体管阵列。多个从半导体衬底体部分向外延伸的半导体柱被排列成行和列。每个柱形成垂直沟道存取晶体管的有源区。在柱行之间形成绝缘沟槽。掩埋字线在绝缘沟槽内沿柱行延伸。在柱列之间形成位线沟槽。位线在位线沟槽下部中垂直于字线延伸。第一和第二柱列面对相邻的每个位线。每个位线经由多晶硅形成的单侧位线接触耦合到第一柱列的柱中的有源区，并与第二柱列的柱的有源区绝缘。
基本信息
专利标题 ：
晶体管阵列及制造垂直沟道晶体管阵列的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819205A
申请号 ：
CN200510128526.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·蒂斯K·米姆勒
申请人 ：
因芬尼昂技术股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
张雪梅
优先权 ：
CN200510128526.9
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/108 H01L21/8239 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2011-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037110972
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101285269
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20091230
号牌文件序号 : 101037110972
IPC(主分类) : H01L 27/105
专利号 : ZL2005101285269
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20091230
2009-08-19 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100530657C.PDF
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