双极晶体管及制造方法
实质审查的生效
摘要
公开了双极晶体管及制造方法。双极晶体管包括集电极区，该集电极区具有位于衬底中的第一掺杂部分和覆盖并与第一掺杂部分的区域接触的第二掺杂部分。集电极区具有掺杂分布，该掺杂分布在第一部分具有峰值，并且从该峰值到第二部分减小。
基本信息
专利标题 ：
双极晶体管及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388361A
申请号 ：
CN202111216099.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
E·布雷扎A·高蒂尔
申请人 ：
意法半导体（克洛尔2）公司
申请人地址 ：
法国克洛尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202111216099.5
主分类号 ：
H01L21/331
IPC分类号 ：
H01L21/331 H01L29/737
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/328
制造双极型器件，例如二极管、晶体管、晶闸管的台阶式工艺
H01L21/33
包括3个或更多电极的器件
H01L21/331
晶体管
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/331
申请日 : 20211019
申请日 : 20211019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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