异质结双极型晶体管及其制作方法

授权

摘要

本申请提供一种异质结双极型晶体管的制作方法，该制作方法可以在不更改既有的HBT制程的基础上，在制作绝缘区域上方的第二金属氮化物层的同时，制作位于非绝缘区域上的第一金属氮化物层，且制作形成的第三金属层与第一金属氮化物层材料不同。该制作方法可以在不需要增设光罩和光刻工序的基础上得到具有两个不同开启电压的肖特基二极管的HBT，可达到减少工序、提高效率、降低成本的效果。此外，本申请还提供一种异质结双极型晶体管，该HBT可具有两个肖特基二极管，可以选择不同的开启电压，以适配不同的电路需求，增加了HBT的适配性。

基本信息

专利标题：

异质结双极型晶体管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113066723A

申请号：

CN202110294738.3

公开（公告）日：

2021-07-02

申请日：

2021-03-19

授权号：

CN113066723B

授权日：

2022-06-07

发明人：

黄治浩蔡文必郭佳衢魏鸿基

申请人：

厦门市三安集成电路有限公司

申请人地址：

福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

代理机构：

北京超成律师事务所

代理人：

裴素英

优先权：

CN202110294738.3

主分类号：

H01L21/331

IPC分类号：

H01L21/331 H01L29/73 H01L29/737 H01L29/47