晶体管及其制作方法
专利申请的视为撤回
摘要
一种双极晶体管，其发射极围绕基极，该晶体管具有高比例的发射极区和基区面积之比以及低的集电极和发射极阻抗，进而，该晶体管的集电极接触区由基极围绕，结果，可以得到低的集电极阻抗。
基本信息
专利标题 ：
晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1092559A
申请号 ：
CN94101094.5
公开（公告）日 ：
1994-09-21
申请日 ：
1994-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
阿利·A·伊朗曼奈施
申请人 ：
国民半导体公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蹇炜
优先权 ：
CN94101094.5
主分类号 ：
H01L29/44
IPC分类号 ：
H01L29/44 H01L29/73 H01L21/331
相关图片
法律状态
1999-06-30 ：
专利申请的视为撤回
1996-05-15 ：
实质审查请求的生效
1994-09-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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