薄膜晶体管及其制作方法、基板
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、基板，属于薄膜晶体管技术领域。其中，薄膜晶体管，包括：基底；设置在所述基底上的栅极；位于所述栅极远离所述基底一侧的绝缘层；位于所述绝缘层远离所述基底一侧的有源层，所述有源层至少包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述基底平行，所述第二部分与所述基底成第一角度，所述第一角度大于0°小于等于90°，所述第一部分在所述基底上的正投影与所述栅极在所述基底上的正投影重叠；与所述有源层分别连接的源极和漏极。本发明的技术方案能够提高薄膜晶体管的耐压范围。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法、基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335160A
申请号 ：
CN202111612531.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孟虎
申请人 ：
北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202111612531.2
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20211227
申请日 : 20211227
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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