薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板。所述薄膜晶体管包括：第一基板；设置在所述第一基板上的第一金属层；设置在所述第一基板及所述第一金属层上的栅绝缘层；设置在所述栅绝缘层上且与所述第一金属层的位置对应的半导体层；设置在所述半导体层上的金属氟化物层；其中，所述金属氟化物层在对应所述第一金属层的区域具有第一沟道，所述第一沟道将所述金属氟化物层分割为第一金属氟化物层和第二金属氟化物层。本申请提供的薄膜晶体管，在半导体层上设置一层可导电的金属氟化物，由于氟离子易进入到金属氧化物半导体层中，使其氧空位数量较少，进而可提高器件的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法和阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388626A
申请号 ：
CN202210006580.X
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
史文
申请人 ：
广州华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市黄埔区（中新广州知识城）亿创街1号406房之417
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
王朝云
优先权 ：
CN202210006580.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L27/12 H01L21/34
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20220105
申请日 : 20220105
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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