薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板
授权
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管的制作方法，所述薄膜晶体管的制作方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上依次沉积和图案化形成遮光层、缓冲层、第一金属氧化物半导体层、栅极绝缘层、栅极层、介电层、源极/漏极金属层和保护层；在所述保护层上沉积和图案化形成第二金属氧化物半导体层，对图案化后的所述第二金属氧化物半导体层的一部分导体化处理，导体化处理的第二金属氧化物半导体层为阵列基板的像素电极。本发明还公开了一种阵列基板和显示面板。本发明节省了薄膜晶体管制作的工序，降低制作成本，提高制作效率。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制作方法、阵列基板和显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109786257A
申请号 ：
CN201910051229.0
公开（公告）日 ：
2019-05-21
申请日 ：
2019-01-18
授权号 ：
CN109786257B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
张合静
申请人 ：
惠科股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼
代理机构 ：
深圳市世纪恒程知识产权代理事务所
代理人 ：
胡海国
优先权 ：
CN201910051229.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L29/786 H01L29/423
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20190118
申请日 : 20190118
2019-05-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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