薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置
授权
摘要
本发明提供了薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置。其中，薄膜晶体管的有源层包括沟道区、第一导体化区和第二导体化区，沟道区设置在第一导体化区和第二导体化区之间，其中，沟道区包括相对的第一边和第二边，第一边与第一导体化区的第三边相接触，第二边与第二导体化区的第四边相接触，且第一边的长度大于第三边的长度。发明人发现，该薄膜晶体管的结构简单、易于实现，良率较高，沟道区在沿第一边的方向上的宽度较均匀，使得薄膜晶体管的阈值电压较均匀，沟道区几乎不会出现导体化的现象。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109037345A
申请号 ：
CN201810840346.0
公开（公告）日 ：
2018-12-18
申请日 ：
2018-07-27
授权号 ：
CN109037345B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
苏同上王东方王庆贺闫梁臣
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
赵天月
优先权 ：
CN201810840346.0
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L29/06 H01L27/12
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-01-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20180727
申请日 : 20180727
2018-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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