薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
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摘要

一种薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置。薄膜晶体管位于衬底基板上且包括位于衬底基板上的栅极、第一电极和第二电极;栅极包括第一主体部分和第一延伸部分;第一主体部分沿第一方向延伸;第一延伸部分沿第一方向延伸,与第一主体部分电连接,且与第一主体部分间隔开第一间隔;第一电极包括第一重叠端、第一补偿端和第一居间部分;第一重叠端在衬底基板上的正投影与第一主体部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠;第一补偿端位于第一重叠端的远离第一主体部分的一侧,在衬底基板上的正投影的与第一延伸部分在衬底基板上的正投影至少部分重叠;第一居间部分连接第一重叠端和第一补偿端,在衬底基板上的正投影位于第一间隔在衬底基板上的正投影内。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922013131.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-11-20
授权号 :
CN210668384U
授权日 :
2020-06-02
发明人 :
张云天芮洲江鹏杨海鹏戴珂张春旭吴忠厚田丽
申请人 :
京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方显示技术有限公司
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
王晓燕
优先权 :
CN201922013131.4
主分类号 :
H01L29/423
IPC分类号 :
H01L29/423  H01L29/786  H01L27/12  G02F1/1362  G02F1/1368  
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法律状态
2020-06-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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