薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种薄膜晶体管,包括有源层、源极及漏极,源极与漏极间隔设置并与有源层电性连接,有源层包括设置于源极与漏极之间的第一沟道结构,第一沟道结构包括第一侧及与第一侧相对设置的第二侧,自源极朝向漏极延伸的第一方向垂直于自第一侧朝向第二侧延伸的第二方向,第一沟道结构在第一侧与第二侧之间的延伸长度大于第一侧与第二侧之间的直线距离。如此,增加了沟道宽度,显示装置能够获得更大的驱动电流。并且,减少薄膜晶体管在显示装置中所占的尺寸,提升显示性能。本申请还提供一种包括上述薄膜晶体管的阵列基板及显示装置。

基本信息
专利标题 :
薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020281615.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-09
授权号 :
CN212182336U
授权日 :
2020-12-18
发明人 :
陈宋郊晏国文胡锐钦
申请人 :
深圳柔宇显示技术有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区坪地街道丁山河路18号柔宇国际柔性显示基地
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
熊永强
优先权 :
CN202020281615.7
主分类号 :
H01L29/10
IPC分类号 :
H01L29/10  H01L29/786  H01L21/336  H01L27/12  
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法律状态
2020-12-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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