薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置
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摘要
提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置。该薄膜晶体管位于衬底基板上，该薄膜晶体管包括：有源层，包括相对的第一表面和第二表面，所述第二表面比所述第一表面靠近所述衬底基板；和源漏极层，包括彼此分离的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与所述有源层相连，所述第一表面和所述第二表面均为非平坦面，各所述非平坦面包括交替排列的多个凹陷和多个凸起。具有非平坦面的有源层有更大的散热面积，可有效避免热致变导致电子迁移率降低，驱动力减弱，避免光致自热应力曲线正移，保持薄膜晶体管的特性稳定性。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法和显示装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111670503A
申请号 ：
CN201980000038.X
公开（公告）日 ：
2020-09-15
申请日 ：
2019-01-07
授权号 ：
CN111670503B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
周宏儒黄中浩吴旭张超王恺
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN201980000038.X
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2020-10-13 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20190107
申请日 : 20190107
2020-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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