薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法
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摘要
一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其该制作方法。薄膜晶体管的制作方法包括：提供衬底基板；以及在衬底基板上形成薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极和半导体层，所述栅极、所述第一电极和所述第二电极中的至少之一包括在垂直于所述衬底基板的方向上堆叠设置的N个部分，N个部分中相邻的两个部分互相接触，N为大于等于2的正整数；所述方法包括：通过N次构图工艺分别形成所述N个部分。采用该制作方法得到的薄膜晶体管的栅极、第一电极、第二电极以及信号线的尺寸精度较高。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109449211A
申请号 ：
CN201811294774.4
公开（公告）日 ：
2019-03-08
申请日 ：
2018-11-01
授权号 ：
CN109449211B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
程磊磊
申请人 ：
合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区工业园内
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王晓燕
优先权 ：
CN201811294774.4
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12 H01L21/77
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2019-04-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20181101
申请日 : 20181101
2019-03-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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