薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，该基板上依次包括有，图样化的第一金属层，连续成膜并形成晶体管主动层区域的绝缘层、非晶硅层及欧姆接触层；溅镀沉积并图样化的第二金属层，且以第二金属的图层进行蚀刻，定义晶体管的后通道；沉积覆盖该基板表面的保护层，且蚀刻形成该保护层图样；最后形成金属氧化物层的图样。其中在蚀刻该保护层时，透过灰阶掩模将该像素电极区域的该绝缘层进行过蚀刻，去除在该绝缘层上微粒残余，达到提高成品率的目的。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101009249A

申请号：

CN200610002249.1

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

翁明全陈泰源江宝焜

申请人：

胜华科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾台中县

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

彭焱

优先权：

CN200610002249.1

主分类号：

H01L21/84

IPC分类号：

H01L21/84 H01L27/12

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/70

由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

H01L21/77

在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理

H01L21/78

把衬底连续地分成多个独立的器件

H01L21/82

制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路

H01L21/84

衬底不是半导体的，例如绝缘体

法律状态

2022-01-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/84
申请日 : 20060127
授权公告日 : 20090708
终止日期 : 20210127

2009-07-08 ：

授权

2007-09-26 ：

实质审查的生效

2007-08-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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