氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
授权
摘要
本申请提供一种氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板，该氧化物薄膜晶体管通过调控栅极层的上层部分的功函数与栅极层的下层部分的功函数之间的关系，调控了栅极层整体的功函数，从而与仅有栅极层的下层部分的薄膜晶体管相比，增大了氧化物薄膜晶体管的阈值电压。该氧化物薄膜晶体管的制作方法通过对栅极层进行表面处理，调控栅极层的上层部分的功函数，从而调控栅极层的上层部分的功函数与栅极层的下层部分的功函数之间的关系，增大了氧化物薄膜晶体管的阈值电压。本申请通过调控栅极层表面的功函数，从而调控了氧化物薄膜晶体管整体的功函数匹配，能够增大氧化物薄膜晶体管的阈值电压，减小因长时间光照导致的阈值电压负偏效应。
基本信息
专利标题 ：
氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112420848A
申请号 ：
CN202011212211.3
公开（公告）日 ：
2021-02-26
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN112420848B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
赵舒宁卓毅
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
李新干
优先权 ：
CN202011212211.3
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L29/49 H01L27/12 H01L21/28 H01L21/34
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-03-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/786
申请日 : 20201103
申请日 : 20201103
2021-02-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
