金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法
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摘要
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在栅极绝缘层上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜；在非晶态金属氧化物半导体薄膜上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层；利用半色调光罩形成光阻层，所形成的光阻层包括源/漏极光阻图形区域和有源层光阻图形区域；同时蚀刻源漏极金属材料层和非晶态金属氧化物半导体薄膜以形成源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层；对结晶态金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层；对光阻层进一步图案化以去除有源层光阻图形区域的光阻材料；对源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层进行蚀刻以形成源极、漏极以及沟道。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110867458A
申请号 ：
CN201911168601.2
公开（公告）日 ：
2020-03-06
申请日 ：
2019-11-25
授权号 ：
CN110867458B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
何佳新
申请人 ：
昆山龙腾光电股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山开发区龙腾路1号
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡光仟
优先权 ：
CN201911168601.2
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12 H01L21/77
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2020-03-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/12
申请日 : 20191125
申请日 : 20191125
2020-03-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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