薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

授权

摘要

一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置。薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层以及栅电极。栅极绝缘层位于有源层上。栅电极位于栅极绝缘层远离有源层的一侧。栅电极包括开孔，有源层与开孔重叠的部分包括沿平行于有源层所在平面的第一方向依次排列的第一轻掺杂区、第一重掺杂区和第二轻掺杂区。该薄膜晶体管可大大降低漏电流，并且可用于高像素密度的显示器。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110649101A

申请号：

CN201910994876.5

公开（公告）日：

2020-01-03

申请日：

2019-10-18

授权号：

CN110649101B

授权日：

2022-04-15

发明人：

闫雷樊君方业周李峰李伟李磊刘雨生孟艳艳

申请人：

京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

焦玉恒

优先权：

CN201910994876.5

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L29/06 H01L27/12 H01L27/32 G02F1/1368