一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

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摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：源漏极层，源漏极层包括源极和漏极；有源层，位于源漏极层之上，有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面接触。由于有源层与源极、漏极相邻的侧面，以及源极、漏极的上表面均接触，使得相对于现有技术中源极、漏极通过过孔与有源层接触的技术方案，极大地增加了源极、漏极与有源层的接触面积，降低了接触电阻，从而提高了薄膜晶体管的响应速度。

基本信息

专利标题：

一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109411531A

申请号：

CN201811213582.6

公开（公告）日：

2019-03-01

申请日：

2018-10-18

授权号：

CN109411531B

授权日：

2022-04-19

发明人：

强朝辉李超王治高宇鹏杜建华关峰吕杨

申请人：

京东方科技集团股份有限公司

申请人地址：

北京市朝阳区酒仙桥路10号

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司

代理人：

郭润湘

优先权：

CN201811213582.6

主分类号：

H01L29/10

IPC分类号：

H01L29/10 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12