一种晶体管及其制作方法
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摘要
本申请提出一种晶体管，其包括GaN外延片；隔离分布于GaN外延片上表面的栅极、源极和漏极；形成于GaN外延片上表面、栅极、源极和漏极之间的SiO2钝化层；还包括具有高掺杂区和低掺杂区的双掺杂p型栅结构。本申请还提供一种晶体管制作方法，包括如下过程：制备GaN外延片；在GaN外延片上制成掺杂结构；在掺杂结构中形成低掺杂区；在掺杂结构中形成高掺杂区；制成源极金属电极区、栅极金属电极区和漏极金属电极区。本申请采用简单高效的方法制作晶体管，可操作性强，适合于晶体管量产工艺的开发，利于大批量生产；所制得的晶体管具有两个掺杂浓度的掺杂区域，可以有效提高阈值电压和输出电流。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109860289A
申请号 ：
CN201811473699.8
公开（公告）日 ：
2019-06-07
申请日 ：
2018-12-04
授权号 ：
CN109860289B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
林信南邝文腾
申请人 ：
北京大学深圳研究生院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大园区
代理机构 ：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭燕
优先权 ：
CN201811473699.8
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
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法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-07-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20181204
申请日 : 20181204
2019-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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