半导体晶体管元件及其制作方法

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摘要

本发明公开一种半导体晶体管元件及其制作方法。该半导体晶体管元件，包含一半导体基底，具有一主动区域及围绕主动区域的沟槽绝缘区域、一栅极氧化层、一栅极、一间隙壁，设于栅极侧壁上、一掺杂区，设于主动区域内位于栅极一侧、一绝缘盖层，覆盖栅极、间隙壁及掺杂区、一重布接触层，位于绝缘盖层上。重布接触层由主动区域延伸至沟槽绝缘区域上。一接触插塞，设于沟槽绝缘区域上，经由重布接触层电连接至栅极或掺杂区。

基本信息

专利标题：

半导体晶体管元件及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN107492572A

申请号：

CN201610421311.4

公开（公告）日：

2017-12-19

申请日：

2016-06-13

授权号：

CN107492572B

授权日：

2022-05-17

发明人：

周志飚陈鼎龙张兴华

申请人：

联华电子股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陈小雯

优先权：

CN201610421311.4

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336 H01L23/482 H01L23/50