薄膜晶体管的制作方法

专利权的终止

摘要

一种薄膜晶体管的制作方法，其包括下列步骤。首先，在基板上形成栅极。接着，在基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。再来，在栅绝缘层上与栅极上方形成图案化半导体层。然后，依序在图案化半导体层上形成第一导电层与第二导电层。接着，图案化第二导电层，同时使栅极上方两侧的第二导电层具有倾斜截面(taper profile)，并暴露出第一导电层。继之，进行第一等离子处理工艺，使第二导电层的表面与倾斜截面处形成第一保护层。之后，移除未被第一保护层以及第二导电层覆盖的第一导电层，以形成源极/漏极。本发明可制作尺寸精细的源极/漏极，并可避免第二导电层的金属离子扩散至图案化半导体层而影响元件的电性。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管的制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1959942A

申请号：

CN200510117461.8

公开（公告）日：

2007-05-09

申请日：

2005-10-31

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

吴泉毅官永佳吕佳谦赖钦诠

申请人：

中华映管股份有限公司

申请人地址：

台湾省台北市中山北路三段二十二号

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

陈亮

优先权：

CN200510117461.8

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336