薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板。薄膜晶体管包括：基板；底栅电极，设于基板上；底栅绝缘层，底栅绝缘层覆盖底栅电极和基板；金属层，设于底栅绝缘层上；金属氧化物半导体层，卡设于金属层中，且金属氧化物半导体层的一侧与底栅绝缘层接触；顶栅绝缘层，顶栅绝缘层覆盖底栅绝缘层和金属层，且顶栅绝缘层与金属氧化物半导体层的另一侧接触，顶栅绝缘层设有过孔，过孔暴露出金属层的一部分；顶栅电极，设于顶栅绝缘层上。本申请实施例中在金属氧化物半导体层的两侧分别设置第一沟道和第二沟道，底栅电极和顶栅电极交替打开，第一沟道和第二沟道交替使用，可有效减少阈值电压的漂移，使TFT器件的稳定性增加。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管、制作方法、驱动方法及显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114335168A
申请号 ：
CN202111587882.2
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王航
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨艇要
优先权 ：
CN202111587882.2
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/786 H01L21/336 H01L27/12 G02F1/1368
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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