薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路

授权

摘要

本发明涉及薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路。一种氧化物半导体薄膜晶体管包括：源极电极及漏极电极；沟道层，其由氧化物半导体形成；第一绝缘膜；第一栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第一绝缘膜之间的界面上的第一沟道区域相对的面侧；第二绝缘膜；以及第二栅极电极，其形成在与形成于沟道层和第二绝缘膜之间的界面上的第二沟道区域相对的面侧，在将第一沟道区域的在源极电极和漏极电极的并排设置方向上的长度设为第一沟道长度，第二沟道区域的在并排设置方向上的长度设为第二沟道长度的情况下，第二沟道长度比第一沟道长度短，且施加于第二栅极电极的电位大于或等于源极电极和漏极电极的电位中的较低的电位。

基本信息

专利标题：

薄膜晶体管及其驱动方法、显示装置和晶体管电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108231904A

申请号：

CN201711190146.7

公开（公告）日：

2018-06-29

申请日：

2017-11-24

授权号：

CN108231904B

授权日：

2022-05-13

发明人：

竹知和重

申请人：

天马日本株式会社

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司

代理人：

黄志华

优先权：

CN201711190146.7

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L29/10 G09G3/20 G09G3/3233 G09G3/36