一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置
实质审查的生效
摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置,解决了在薄膜晶体管器件的沟道制作过程中有效tail变大的问题。所述薄膜晶体管的制备方法,包括:提供一衬底;在所述衬底上形成依次叠层设置的栅电极、栅极绝缘层、有源层和金属层;对所述有源层和所述金属层进行图案化处理,以分别形成有源岛以及位于所述有源岛上方的源漏电极;其中,所述有源岛包括位于其外周的外延部,所述外延部在所述衬底上的正投影不覆盖所述栅电极和所述源漏电极在所述衬底上的正投影;对所述有源岛进行图案化处理,以去除所述外延部,从而形成薄膜晶体管。

基本信息
专利标题 :
一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管和显示装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114496800A
申请号 :
CN202210142462.1
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孔曾杰郭会斌高玉杰乔亚峥刘赫代耀丁俊陈鹏孙梦翔王谦
申请人 :
武汉京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 :
湖北省武汉市东西湖区临空港大道691号
代理机构 :
北京聿宏知识产权代理有限公司
代理人 :
陈超德
优先权 :
CN202210142462.1
主分类号 :
H01L21/336
IPC分类号 :
H01L21/336  H01L29/786  G02F1/1362  G02F1/1368  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220216
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332