薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
公开
摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。薄膜晶体管包括衬底以及在衬底之上依次形成的第一栅极层、第一绝缘层、有缘层和源漏极层，有源层的表面上沉积形成有非晶金属氧化物层，非晶金属氧化物层是在沉积的过程中，通过离子轰击有源层表面的金属氧结合键后形成的。本发明在有源层表面沉积非晶金属氧化物层，利用金属氧化物沉积过程中的离子轰击有源层的金属氧结合键，促进氧离子的偏析，使有源层表面处具有高的氧空位浓度，提高有源层表面的载流子浓度，从而提高薄膜晶体管的场效应迁移率，非晶金属氧化物层还可以改善正偏光照对薄膜晶体管带来的影响。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613860A
申请号 ：
CN202210198537.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁伟
申请人 ：
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
吕姝娟
优先权 ：
CN202210198537.8
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/34
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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