一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板
授权
摘要
本申请公开了一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板，包括通入硅烷前驱体的步骤：在原子层沉积装置中持续通入预设时间的硅烷前驱体，完成通入后停留预设时间；第一次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；通入供氮前驱体的步骤：持续通入预设时间的供氮前驱体，完成通入后停留预设的时间；第二次通入惰性气体的步骤：通入惰性气体，持续吹扫预设时间；以及重复预设次数的通入硅烷前驱体的步骤、第一次通入惰性气体的步骤、通入供氮前驱体的步骤和第二次通入惰性气体的步骤，以形成氮化硅薄膜。解决液晶面板显示出现暗点现象。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化硅薄膜的制作方法、薄膜晶体管和显示面板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112242298A
申请号 ：
CN202010960576.8
公开（公告）日 ：
2021-01-19
申请日 ：
2020-09-14
授权号 ：
CN112242298B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
卓恩宗雍万飞许哲豪夏玉明袁海江
申请人 ：
北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司
申请人地址 ：
广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司二期A座4楼A-430室
代理机构 ：
深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
邢涛
优先权 ：
CN202010960576.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/786 G02F1/1368
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-02-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20200914
申请日 : 20200914
2021-01-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
