薄膜晶体管的制作方法
被视为撤回的申请
摘要
薄膜晶体管制作方法：在防定的基板上形成一层多晶半导体薄膜；将预定的离子注入多晶半导体薄膜中，以形成一层非晶半导体薄膜；在非晶半导体薄膜上，形成一层栅绝缘薄膜和一栅电极；利用栅电极和栅绝缘膜作掩膜进行掺杂，以便在非晶半导体薄膜中形成源区和漏区；进行退火以实现非晶半导体薄膜的固相生长，同时使杂质电激活，以形成源区和漏区。上述方法能促使非晶半导体薄膜的固相生长的退火工艺，不必与促使杂质电激活以形成源区和漏区的退火工艺分开。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109088A
申请号 ：
CN85109088
公开（公告）日 ：
1986-08-27
申请日 ：
1985-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林久雄野口隆
申请人 ：
索尼公司
申请人地址 ：
日本东京都品川区北品川6丁目7番35号
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85109088
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
1988-06-08 ：
被视为撤回的申请
1986-08-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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