薄膜晶体管的制作方法
专利权的终止
摘要
本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管的制作方法，可利用一道光掩模同时定义源/漏极与轻掺杂漏极区，且仅利用一道干蚀刻即可完成具有栅极脚结构的栅极。因此，本发明可大幅减少具有栅极重叠结构轻掺杂漏极区的多晶硅薄膜晶体管的工艺步骤，如此一来，不但可达到减少多晶硅薄膜晶体管工艺的光掩模使用次数的目的，且由于工艺的步骤减少，因此可提升量产速度及增加成品率。
基本信息
专利标题 ：
薄膜晶体管的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949465A
申请号 ：
CN200510106789.X
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张世昌方俊雄蔡耀铭
申请人 ：
统宝光电股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业区苗栗县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510106789.X
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2021-09-24 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20201012
申请日 : 20051012
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20201012
2009-01-14 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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