一种薄膜晶体管及其制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种薄膜晶体管及其制作方法，其包括步骤：提供基板；在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层表面形成第一金属层并对所述第一金属层进行图案化处理形成栅电极；在所述栅电极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成有源层，所述有源层包括有未掺杂的非晶硅层及位于所述未掺杂的非晶硅层上的非晶硅掺杂层；对所述有源层的部分区域进行脱氢、结晶处理而生成与所述栅电极位置对应的单晶硅层，所述单晶硅层所在区域定义为沟道区，所述沟道区两侧的区域为源极接触区及漏极接触区；在所述源极接触区、漏极接触区形成位于所述源极接触区表面的源极及位于所述漏极接触区表面的漏极。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446792A
申请号 ：
CN202210089030.9
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王旭
申请人 ：
TCL华星光电技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
莫胜钧
优先权 ：
CN202210089030.9
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/268 H01L29/786
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20220125
申请日 : 20220125
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
