埋入式字线晶体管的制作方法、晶体管及存储器
实质审查的生效
摘要
本申请提供一种埋入式字线晶体管的制作方法、晶体管及存储器，该方法包括：提供具有有源区的半导体衬底，并在有源区内形成第一沟槽；在第一沟槽的侧壁形成第一绝缘层，并对第一沟槽的底部进行蚀刻形成第二沟槽；在第一绝缘层的侧壁、第二沟槽的底部及侧壁形成栅氧化层，在栅氧化层的底部及部分侧壁形成阻挡层，并在阻挡层内侧形成金属填充层；移除第一绝缘层，以使栅氧化层与第一沟槽的侧壁之间形成侧沟；在侧沟顶端以及阻挡层和金属填充层的上方形成第二绝缘层，以使栅氧化层与第一沟槽的侧壁之间形成密封的空气间隔层，改善了晶体管的GIDL效应，保证了器件性能和可靠性。
基本信息
专利标题 ：
埋入式字线晶体管的制作方法、晶体管及存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267641A
申请号 ：
CN202010974520.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴公一邓楠王玉尘
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
张娜
优先权 ：
CN202010974520.8
主分类号 ：
H01L21/8242
IPC分类号 ：
H01L21/8242 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8242
动态随机存取存储结构
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8242
申请日 : 20200916
申请日 : 20200916
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
